دائرة تشغيل IR2102S عالية السرعة لترانزستورات MOSFET وIGBT
IR2102S High and Low Side Power MOSFET and IGBT Driver
غير متوفر حاليًا
لا يوجد متجر لديه هذا المنتج متوفرًا الآن. الأسعار التالية هي آخر ما سجلناه.
آخر تحديث للأسعار: ١٣/١٠/٢٠٢٦
تاريخ السعر
أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا
لا يوجد تاريخ أسعار كافٍ بعد.
عن المنتج
دائرة تشغيل بوابات (Gate Driver) عالية السرعة من Infineon (وكانت سابقاً تابعة لشركة International Rectifier)، وتقوم بتشغيل ترانزستور MOSFET أو IGBT للجانبين العلوي والسفلي في دوائر نصف الجسر. تُستخدم في محركات التيار المستمر والعاكسات ومزودات الطاقة ذات التبديل لتحويل إشارات المتحكم المنطقية إلى تبديل سريع لأجهزة الطاقة.
المواصفات
- نوع الدائرة
- High-side and low-side driver (half-bridge)
- جهد التغذية (VCC)
- 10 V to 20 V
- الأجهزة المتوافقة
- Power MOSFET and IGBT
- الغلاف
- SOIC-8 (S suffix)
أسئلة شائعة
كيف يتم تغذية ترانزستور الجانب العلوي في الدائرة النموذجية؟
يعتمد خرج الجانب العلوي عادةً على دائرة Bootstrap المكونة من ديود ومكثف لتوليد جهد التغذية العائم لبوابة الجانب العلوي. اتبع توصيلات Bootstrap الموضحة في ورقة البيانات.
ما جهد التغذية الذي يحتاجه؟
يُحدد جهد التغذية (VCC) بين 10 فولت و20 فولت. حافظ على التغذية ضمن هذا النطاق، وتأكد من أن جهد تشغيل البوابة مناسب لجهاز الطاقة المستخدم.
