دائرة تشغيل IR2184S عالية الجهد وعالية السرعة لـ MOSFET وIGBT بغلاف SOIC-8
SMD IR2184S High-Voltage High-Speed MOSFET & IGBT Driver, SOIC-8
آخر تحديث للأسعار: ١٣/١٠/٢٠٢٦
مقارنة الأسعار
| المتجر | منتج | السعر | اذهب للمتجر |
|---|---|---|---|
 رام للإلكترونيات | SMD IR2184S | ٤٥ ج.م | اذهب للمتجر |
تاريخ السعر
أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا
أقل سعر تم تسجيله: ٤٥ ج.م
عن المنتج
دائرة تشغيل بوابات عالية الجهد وعالية السرعة لـ MOSFET وIGBT، تحتوي على مشغّل للجانب العالي وآخر للجانب المنخفض. تُستخدم في الدوائر نصف الجسرية مثل مشغّلات المحركات والعاكسات ومراحل مزودات الطاقة ذات التبديل. تأتي بغلاف SOIC-8 للتركيب السطحي.
المواصفات
- الوظيفة
- High-side and low-side gate driver (half-bridge)
- الغلاف
- SOIC-8 (SMD)
- جهد الإزاحة للجانب العالي (VOFFSET)
- 600 V
أسئلة شائعة
كم سعر دائرة تشغيل IR2184S عالية الجهد وعالية السرعة لـ MOSFET وIGBT بغلاف SOIC-8 في مصر؟
سعر دائرة تشغيل IR2184S عالية الجهد وعالية السرعة لـ MOSFET وIGBT بغلاف SOIC-8 في مصر حاليًا ٤٥ جنيه.
منين أشتري دائرة تشغيل IR2184S عالية الجهد وعالية السرعة لـ MOSFET وIGBT بغلاف SOIC-8 في مصر؟
دائرة تشغيل IR2184S عالية الجهد وعالية السرعة لـ MOSFET وIGBT بغلاف SOIC-8 متوفر عند رام للإلكترونيات. قارن العروض بالأعلى لتعرف أفضل سعر.
ما الأجزاء الخارجية التي يحتاجها مشغّل الجانب العالي؟
يُغذّى قناة الجانب العالي عادةً بدائرة Bootstrap تتكون من دايود ومكثف. اتبع دائرة التطبيق النموذجية في ورقة البيانات لاختيار القيم.
هل يمكن تشغيل المحرك مباشرة من المتحكم؟
تستقبل الدائرة إشارات المنطق من المتحكم، لكنها لا تشغّل الحمل بمفردها. بل تبدّل MOSFET أو IGBT خارجياً، وهو الذي يشغّل الحمل.
