ترانزستور IGBT للقدرة YGW40N120T3 1200 فولت 40 أمبير
YGW40N120T3 IGBT Power Transistor 1200V 40A TO-247
آخر تحديث للأسعار: ١٤/١٠/٢٠٢٦
مقارنة الأسعار
| المتجر | منتج | السعر | اذهب للمتجر |
|---|---|---|---|
 ميكرز للإلكترونيات | YGW40N120T3 IGBT Power Transistor 1200V 40A TO-247 | ٧٥ ج.م | اذهب للمتجر |
تاريخ السعر
أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا
أقل سعر تم تسجيله: ٧٥ ج.م
عن المنتج
YGW40N120T3 ترانزستور IGBT من نوع Trench Field-Stop بجهد 1200 فولت وتيار 40 أمبير في غلاف TO-247. يتميز بجهد تشبع منخفض لـ VCE وقدرة تحمل للدائرة القصيرة لمدة 10 ميكروثانية، ويضم ثنائيا داخليا سريع الاسترداد، ومناسب للمراحل المحولة التي تتطلب تحمل جهد عال وحماية من الأعطال.
المواصفات
- جهد المجمع-الباعث (VCES)
- 1200 V
- تيار المجمع
- 40 A
- زمن تحمل الدائرة القصيرة
- 10 µs
- الثنائي الداخلي
- Fast recovery diode
- الغلاف
- TO-247
أسئلة شائعة
كم سعر ترانزستور IGBT للقدرة YGW40N120T3 1200 فولت 40 أمبير في مصر؟
سعر ترانزستور IGBT للقدرة YGW40N120T3 1200 فولت 40 أمبير في مصر حاليًا ٧٥ جنيه.
منين أشتري ترانزستور IGBT للقدرة YGW40N120T3 1200 فولت 40 أمبير في مصر؟
ترانزستور IGBT للقدرة YGW40N120T3 1200 فولت 40 أمبير متوفر عند ميكرز للإلكترونيات. قارن العروض بالأعلى لتعرف أفضل سعر.
ماذا يعني زمن تحمل الدائرة القصيرة 10 ميكروثانية عمليا؟
يستطيع الترانزستور تحمل دائرة قصيرة لمدة تصل إلى 10 ميكروثانية. لذلك يجب أن تكتشف دائرة الحماية العطل وتفصل الترانزستور خلال هذه المدة.
كيف أشغّل YGW40N120T3؟
استخدم دائرة تشغيل للبوابة مصممة لترانزستورات IGBT، واضبط جهد البوابة ومقاومتها وفق الدليل الفني. يُنصح بدائرة تشغيل معزولة عند استخدام الترانزستور في الجانب العالي أو في قنطرة.
