ترانزستور IRF9Z34NS MOSFET قدرة من نوع P-Channel بغلاف TO-263 للتركيب السطحي
IRF9Z34NS SMD Power MOSFET P-Channel 55V 18A TO-263
غير متوفر حاليًا
لا يوجد متجر لديه هذا المنتج متوفرًا الآن. الأسعار التالية هي آخر ما سجلناه.
آخر تحديث للأسعار: ١٤/١٠/٢٠٢٦
تاريخ السعر
أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا
لا يوجد تاريخ أسعار كافٍ بعد.
عن المنتج
IRF9Z34NS ترانزستور MOSFET قدرة من نوع P-Channel بغلاف TO-263 للتركيب السطحي. يُستخدم كمفتاح تحميل من الجانب العلوي (High-side) وفي دوائر التحكم بالطاقة، مثل تبديل خط التغذية الموجب إلى الحمل تحت تحكم متحكم دقيق.
المواصفات
- نوع القناة
- P-Channel
- جهد المصرف-المصدر (VDSS)
- -55 V
- تيار المصرف المستمر (ID)
- -18 A
- مقاومة التشغيل (RDS(on))
- 0.10 Ω
- الغلاف
- TO-263 (D2PAK), SMD
أسئلة شائعة
هل يمكن استخدامه كمفتاح من الجانب العلوي مع مصدر تغذية 12 فولت؟
نعم. يوضع بين مصدر التغذية والحمل مع توصيل المصدر (Source) بجهد التغذية. لكي يعمل، يجب سحب البوابة (Gate) إلى جهد أقل من المصدر بحوالي 10 فولت، ولذلك يُحتاج عادةً إلى مرحل جهد أو طبقة قيادة عند التحكم من متحكم بجهد 3.3 فولت أو 5 فولت.
هل يمكن استبداله بـ IRF9Z34N ذي الأرجل (TO-220)؟
ترتيب الأطراف (البوابة والمصرف والمصدر) مطابق لـ IRF9Z34N بغلاف TO-220، لكن هذا الإصدار بغلاف TO-263 للتركيب السطحي، لذلك يلزم تصميم بصمة لوحة (Footprint) مناسبة له ولا يمكن تركيبه في فتحات TO-220 دون تعديل.
