ElectronicsEgypt
ترانزستور MOSFET من النوع N موديل IRF530N بجهد 100 فولت

ترانزستور MOSFET من النوع N موديل IRF530N بجهد 100 فولت

IRF530N N-Channel Power MOSFET 100V TO-220

رقم القطعة: IRF530Nالماركة: Infineonالترانزستورات والموسفت

أقل سعر الآن

١٣٫٩٩ ج.م

4 عروض · 4 متاجروفّر حتى 60%

اذهب للمتجر: موست إلكترونكس

آخر تحديث للأسعار: ١٣‏/١٠‏/٢٠٢٦

مقارنة الأسعار

المتجرالسعراذهب للمتجر
Most Electronics logoموست إلكترونكسالأرخص١٣٫٩٩ ج.م٢٣٫١٥اذهب للمتجر
RAM Electronics logoرام للإلكترونيات١٧ ج.ماذهب للمتجر
Ekostra logoإكوسترا للإلكترونيات٢٥ ج.ماذهب للمتجر
Future Electronics logoفيوتشر إلكترونيكس٣٥ ج.ماذهب للمتجر

تاريخ السعر

أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا

17.4515.513.5412 Oct 202613 Oct 2026

أقل سعر تم تسجيله: ١٣٫٩٩ ج.م

عن المنتج

ترانزستور MOSFET من نوع N بغلاف TO-220، بجهد تصريف-مصدر 100 فولت وتيار مستمر يبلغ نحو 17 أمبير. يُستخدم مفتاحاً إلكترونياً للمحركات والمرحلات والمصابيح وأحمال LED في دوائر التحكم بالقدرة. وهو ليس من نوع مستوى المنطق، لذا يحتاج إلى جهد بوابة كافٍ للتشغيل الكامل.

المواصفات

نوع القناة
N-channel
جهد التصريف-المصدر (VDS)
100 V
تيار التصريف المستمر (ID)
17 A
أقصى مقاومة تشغيل RDS(on) عند VGS = 10 V
0.09 Ω
جهد عتبة البوابة (VGS(th))
2 V to 4 V
الغلاف
TO-220AB

أسئلة شائعة

كم سعر ترانزستور MOSFET من النوع N موديل IRF530N بجهد 100 فولت في مصر؟

سعر ترانزستور MOSFET من النوع N موديل IRF530N بجهد 100 فولت في مصر حاليًا بين ١٣٫٩٩ و٣٥ جنيه عبر 4 عروض.

منين أشتري ترانزستور MOSFET من النوع N موديل IRF530N بجهد 100 فولت في مصر؟

ترانزستور MOSFET من النوع N موديل IRF530N بجهد 100 فولت متوفر عند موست إلكترونكس ورام للإلكترونيات وإكوسترا للإلكترونيات وفيوتشر إلكترونيكس. قارن العروض بالأعلى لتعرف أفضل سعر.

هل يمكن تشغيله مباشرة من طرف 5 فولت في Arduino أو 3.3 فولت في ESP32؟

لا يُنصح بذلك. عتبة التشغيل بين 2 و4 فولت، والتشغيل الكامل يحتاج تقريباً إلى 10 فولت على البوابة، فإذا غذّيته من طرف 5 فولت أو 3.3 فولت سيعمل جزئياً ويسخن. استخدم MOSFET من نوع مستوى المنطق (Logic-Level) أو مرحلة تحكم بالبوابة.

ما هو التوصيل الأساسي للتحكم في حمل؟

في المفتاح السفلي (Low-Side) وصّل الحمل بين الموجب والتصريف (Drain)، وألحق المصدر (Source) بالأرضي، ووصّل طرف المتحكم بالبوابة عبر مقاومة نحو 100 Ω. أضف مقاومة سحب للأسفل 10 kΩ بين البوابة والمصدر لضمان بقاء الترانزستور مغلقاً عند الإقلاع، وأضف ثنائياً عاكساً (Flyback Diode) على الأحمال الحثية كالمحركات والمرحلات.