IR2011 دارة تشغيل MOSFET للجانبين العالي والمنخفض بغلاف DIP-8
IR2011 High and Low Side MOSFET Driver DIP-8
غير متوفر حاليًا
لا يوجد متجر لديه هذا المنتج متوفرًا الآن. الأسعار التالية هي آخر ما سجلناه.
آخر تحديث للأسعار: ١٣/١٠/٢٠٢٦
تاريخ السعر
أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا
لا يوجد تاريخ أسعار كافٍ بعد.
عن المنتج
IR2011 دارة تشغيل MOSFET عالية السرعة بقناتي خرج مستقلتين للجانب العالي والجانب المنخفض، بغلاف DIP-8. تستطيع قناة الجانب العالي العائمة تشغيل MOSFET من نوع N يعمل حتى جهد 200 فولت، وتقبل مداخل المنطق بجهد 3.0 فولت وإشارات CMOS وLSTTL القياسية. تُستخدم عادةً في دوائر نصف الجسر والعاكسات ومحركات التشغيل.
المواصفات
- قنوات الخرج
- Independent high-side and low-side
- جهد الجانب العالي
- Up to 200 V
- توافق مداخل المنطق
- 3.0 V, CMOS and LSTTL
- الغلاف
- DIP-8
- زمن التأخير
- Matched between channels
أسئلة شائعة
كيف أغذّي قناة الجانب العالي؟
قناة الجانب العالي عائمة، لذا تُغذّى عادةً بدائرة Bootstrap تتكون من دايود ومكثف بين VCC وطرف تغذية الجانب العالي. استخدم قيم المكونات وإرشادات التخطيط الواردة في الـ datasheet الخاص بـ IR2011.
هل يمكن تشغيله من متحكم دقيق بجهد 3.3 فولت؟
نعم، يذكر الوصف أن مداخل المنطق متوافقة مع جهد 3.0 فولت ومخرجات CMOS وLSTTL القياسية، لذا يمكن لمتحكم بجهد 3.3 أو 5 فولت تشغيلها مباشرةً.
