ترانزستور ضوئي سيليكوني NPN معدني 3DU5C بطول موجة 880 نانومتر
3DU5C NPN Metal Silicon Phototransistor 880nm 10V
غير متوفر حاليًا
لا يوجد متجر لديه هذا المنتج متوفرًا الآن. الأسعار التالية هي آخر ما سجلناه.
آخر تحديث للأسعار: ١٤/١٠/٢٠٢٦
تاريخ السعر
أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا
لا يوجد تاريخ أسعار كافٍ بعد.
عن المنتج
ترانزستور ضوئي سيليكوني من نوع NPN بغلاف معدني، يوصل التيار عندما يسقط الضوء على نافذته القاعدية، ويعطي خرجًا كهربائيًا من الباعث أو المجمّع. طول موجته الأقصى 880 نانومتر ضمن نطاق الأشعة تحت الحمراء، ما يجعله مناسبًا لدوائر كشف الضوء والاستشعار بالأشعة تحت الحمراء. أقصى جهد تشغيل له 10 فولت، وتيار ضوئي يتراوح بين 0.5 و1 مللي أمبير وفقًا للوصف.
المواصفات
- النوع
- NPN silicon phototransistor, metal case
- الطول الموجي للذروة
- 880 nm
- أقصى جهد تشغيل
- 10 V
- جهد الانهيار العكسي
- 15 V
- التيار الضوئي
- 0.5 to 1 mA
- التيار المظلم
- 0.3 µA
- القدرة المستهلكة
- 30 mW
- أبعاد الجسم
- 7 x 5 mm, total length 28 mm
أسئلة شائعة
كيف أستخدمه في الدائرة؟
يُستخدم عادةً كمفتاح أو مستشعر يتحكم فيه الضوء، مع مقاومة حمل أو سحب على جانب الباعث أو المجمّع. يعتمد جهد الخرج على شدة الضوء والحمل المختار، لذا اختبر الدائرة مع مصدر الضوء الذي ستستخدمه.
هل يستجيب أفضل للضوء المرئي أم للأشعة تحت الحمراء؟
طول موجته الأقصى 880 نانومتر ضمن الأشعة تحت الحمراء، لذا تكون استجابته الأفضل لهذا النطاق. ويتناسب جيدًا مع مصابيح LED للأشعة تحت الحمراء بطول موجة قريب.
