ElectronicsEgypt
ذاكرة DRAM موديل TMS4464-12NL بسعة 64K×4 بت وزمن 120 نانو ثانية

ذاكرة DRAM موديل TMS4464-12NL بسعة 64K×4 بت وزمن 120 نانو ثانية

TMS4464-12NL 64K x 4-bit DRAM 120ns DIP-18

رقم القطعة: TMS4464-12NLالماركة: Texas Instrumentsالدوائر المتكاملة

أقل سعر الآن

٦٠ ج.م

1 عرض · 1 متاجر

اذهب للمتجر: ميكرز للإلكترونيات

آخر تحديث للأسعار: ١٣‏/١٠‏/٢٠٢٦

مقارنة الأسعار

المتجرالسعراذهب للمتجر
Makers Electronics logoميكرز للإلكترونيات٦٠ ج.ماذهب للمتجر

تاريخ السعر

أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا

60.96059.112 Oct 202613 Oct 2026

أقل سعر تم تسجيله: ٦٠ ج.م

عن المنتج

ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية (DRAM) بتنظيم 64K×4 بت وزمن وصول 120 نانو ثانية، في غلاف DIP ذي 18 طرفاً. تُستخدم في مشروعات الحاسبات القديمة وتعلّم واجهات الذاكرة الديناميكية.

المواصفات

التنظيم
64K × 4 bit
زمن الوصول
120 ns
النوع
Dynamic RAM (DRAM)
الغلاف
DIP-18
جهد التغذية
5 V

أسئلة شائعة

كم سعر ذاكرة DRAM موديل TMS4464-12NL بسعة 64K×4 بت وزمن 120 نانو ثانية في مصر؟

سعر ذاكرة DRAM موديل TMS4464-12NL بسعة 64K×4 بت وزمن 120 نانو ثانية في مصر حاليًا ٦٠ جنيه.

منين أشتري ذاكرة DRAM موديل TMS4464-12NL بسعة 64K×4 بت وزمن 120 نانو ثانية في مصر؟

ذاكرة DRAM موديل TMS4464-12NL بسعة 64K×4 بت وزمن 120 نانو ثانية متوفر عند ميكرز للإلكترونيات. قارن العروض بالأعلى لتعرف أفضل سعر.

هل تحتاج هذه الذاكرة إلى تحديث دوري (Refresh)؟

نعم. تفقد خلايا DRAM شحنتها مع الوقت، لذا يجب تحديث كل صف بشكل دوري خلال الفترة المحددة في ورقة البيانات.

كيف يتم التعامل مع ناقل العناوين؟

يُرسل العنوان المكون من 16 بت عبر 8 أطراف عنونة بالتناوب بين عنوان الصف وعنوان العمود، ويتم تثبيتهما بواسطة الإشارتين RAS وCAS.