ترانزستور MOSFET للقدرة MIP0223SY عالي جهد الانهيار مع دائرة تحكم CMOS
MIP0223SY High Breakdown Voltage Power MOSFET with CMOS Control
آخر تحديث للأسعار: ١٤/١٠/٢٠٢٦
مقارنة الأسعار
| المتجر | منتج | السعر | اذهب للمتجر |
|---|---|---|---|
 يو جي إي للإلكترونيات | MIP0223SY high breakdown voltage power MOS FET with built in CMOS control circuits | ٩٠ ج.م | اذهب للمتجر |
تاريخ السعر
أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا
أقل سعر تم تسجيله: ٩٠ ج.م
عن المنتج
المكون MIP0223SY عبارة عن ترانزستور MOSFET للقدرة عالي جهد الانهيار يدمج دائرة تحكم CMOS في الشريحة نفسها. مصمم لتطبيقات التبديل في مزودات الطاقة، حيث تُجمع وظيفتا التبديل والتحكم لتقليل المكونات الخارجية. راجع ورقة البيانات لمعرفة الجهد والتيار وترتيب الأطراف قبل التصميم.
المواصفات
- نوع المكون
- Power MOSFET
- التحكم المدمج
- Built-in CMOS control circuit
- جهد الانهيار
- High (see datasheet)
أسئلة شائعة
كم سعر ترانزستور MOSFET للقدرة MIP0223SY عالي جهد الانهيار مع دائرة تحكم CMOS في مصر؟
سعر ترانزستور MOSFET للقدرة MIP0223SY عالي جهد الانهيار مع دائرة تحكم CMOS في مصر حاليًا ٩٠ جنيه.
منين أشتري ترانزستور MOSFET للقدرة MIP0223SY عالي جهد الانهيار مع دائرة تحكم CMOS في مصر؟
ترانزستور MOSFET للقدرة MIP0223SY عالي جهد الانهيار مع دائرة تحكم CMOS متوفر عند يو جي إي للإلكترونيات. قارن العروض بالأعلى لتعرف أفضل سعر.
هل يحتاج إلى مشغّل بوابة خارجي؟
تذكر القائمة وجود دوائر تحكم CMOS مدمجة. راجع ورقة البيانات لمعرفة المكونات الخارجية وأطراف التحكم المطلوبة لتصميمك.
ما تصنيفات الجهد والتيار لهذا المكون؟
لا تذكر القائمة تصنيفات الجهد أو التيار. احصل على ورقة البيانات الرسمية لـ MIP0223SY قبل اختيار مصدر التغذية أو الحمل.
