ترانزستور MOSFET من نوع N طراز IRFD110 (100 فولت، 1 أمبير) بغلاف DIP-4
IRFD110 N-Channel Power MOSFET 100V 1A DIP-4
آخر تحديث للأسعار: ١٣/١٠/٢٠٢٦
مقارنة الأسعار
| المتجر | منتج | السعر | اذهب للمتجر |
|---|---|---|---|
 فيوتشر إلكترونيكس | IRFD110 MOSFET (100V, 1A) | ١٦ ج.م | اذهب للمتجر |
تاريخ السعر
أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا
أقل سعر تم تسجيله: ١٦ ج.م
عن المنتج
IRFD110 ترانزستور MOSFET ذو قناة N بغلاف DIP من 4 أطراف، بجهد تصريف-مصدر 100 فولت وتيار تصريف مستمر 1 أمبير. يُستخدم مفتاحًا إلكترونيًا للأحمال منخفضة القدرة مثل الريليهات والمحركات الصغيرة والملفات الكهربائية والمصابيح. يُنصح بمراجعة جهد تشغيل البوابة في ورقة البيانات قبل تشغيله مباشرة من مخرج متحكم دقيق.
المواصفات
- نوع الترانزستور
- N-channel power MOSFET
- جهد التصريف-المصدر (VDSS)
- 100 V
- تيار التصريف المستمر (ID)
- 1 A
- الغلاف
- DIP-4
- تباعد الأطراف
- 2.54 mm
أسئلة شائعة
كم سعر ترانزستور MOSFET من نوع N طراز IRFD110 (100 فولت، 1 أمبير) بغلاف DIP-4 في مصر؟
سعر ترانزستور MOSFET من نوع N طراز IRFD110 (100 فولت، 1 أمبير) بغلاف DIP-4 في مصر حاليًا ١٦ جنيه.
منين أشتري ترانزستور MOSFET من نوع N طراز IRFD110 (100 فولت، 1 أمبير) بغلاف DIP-4 في مصر؟
ترانزستور MOSFET من نوع N طراز IRFD110 (100 فولت، 1 أمبير) بغلاف DIP-4 متوفر عند فيوتشر إلكترونيكس. قارن العروض بالأعلى لتعرف أفضل سعر.
هل يمكن تشغيله مباشرة من طرف Arduino؟
ليس بشكل موثوق. الترانزستور IRFD110 ليس من نوع مستوى المنطق (Logic-level)، لذا لا يوفر مخرج 5 فولت جهد بوابة كافيًا للتشغيل الكامل. راجع قيم جهد عتبة البوابة وRDS(on) في ورقة البيانات، أو اختر MOSFET من نوع مستوى المنطق للتحكم المباشر من المتحكم الدقيق.
كيف أتعرف على الأطراف؟
للغلاف أربعة أطراف، ويتصل التصريف (Drain) بطرفين منها. تحقق من ترتيب البوابة (Gate) والتصريف (Drain) والمصدر (Source) في ورقة البيانات قبل التوصيل، لأن التوصيل الخاطئ قد يتلف القطعة.
