
ترانزستور MOSFET بقناة P من نوع IRF7416 بجهد 30 فولت وتيار 10 أمبير (SMD)
IRF7416 P-Channel MOSFET 30V 10A SMD
غير متوفر حاليًا
لا يوجد متجر لديه هذا المنتج متوفرًا الآن. الأسعار التالية هي آخر ما سجلناه.
آخر تحديث للأسعار: ١٣/١٠/٢٠٢٦
تاريخ السعر
أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا
لا يوجد تاريخ أسعار كافٍ بعد.
عن المنتج
المكوّن IRF7416 ترانزستور MOSFET ذو قناة P للقدرة، بجهد 30 فولت وتيار 10 أمبير، في غلاف SMD من نوع SO-8. يُستخدم عادةً كمفتاح في جانب الجهد الموجب (High-side) للتحكم في التغذية الواصلة إلى الحمل، وفي التحكم بمسار الطاقة وتبديل الأحمال في اللوحات المدمجة.
المواصفات
- نوع القناة
- P-channel
- جهد المصرف-المنبع
- 30 V
- تيار المصرف المستمر
- 10 A
- طريقة التركيب
- SMD (SO-8)
أسئلة شائعة
كيف أشغّل هذا الترانزستور من متحكم دقيق؟
في التطبيقات عالية الجهد (High-side)، يجب سحب البوابة نحو الأرضي لتشغيل المكوّن. استخدم ترانزستور NPN يقوده طرف المتحكم لسحب البوابة للأسفل. لا يكفي عادةً طرف GPIO بجهد 3.3 أو 5 فولت وحده لتشغيل هذا المكوّن بالكامل، لذا راجع عتبة البوابة في الدليل الفني.
هل غلاف SO-8 مناسب للحام اليدوي؟
نعم، باستخدام مكواة ذات رأس دقيق ومادة تدفق (Flux). تبلغ المسافة بين الأطراف في غلاف SO-8 نحو 1.27 ملم، ويمكن إنجاز اللحام اليدوي بعناية أو باستخدام الهواء الساخن للحصول على وصلات موثوقة.





