ElectronicsEgypt
ترانزستور MOSFET للقدرة IRF634 بقناة N (250 فولت، 8.1 أمبير، TO-220)

ترانزستور MOSFET للقدرة IRF634 بقناة N (250 فولت، 8.1 أمبير، TO-220)

IRF634 N-Channel Power MOSFET (250V, 8.1A, TO-220)

رقم القطعة: IRF634الماركة: International Rectifierالترانزستورات والموسفت

أقل سعر الآن

٢٠ ج.م

3 عروض · 3 متاجروفّر حتى 20%

اذهب للمتجر: فيوتشر إلكترونيكس

آخر تحديث للأسعار: ١٤‏/١٠‏/٢٠٢٦

مقارنة الأسعار

المتجرالسعراذهب للمتجر
Future Electronics logoفيوتشر إلكترونيكسالأرخص٢٠ ج.ماذهب للمتجر
Most Electronics logoموست إلكترونكس٢١٫٩ ج.م٢٦٫٩٢اذهب للمتجر
Circuits Electronics logoسيركتس إلكترونيكس٢٥ ج.ماذهب للمتجر

تاريخ السعر

أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا

20.32019.712 Oct 202614 Oct 2026

أقل سعر تم تسجيله: ٢٠ ج.م

عن المنتج

ترانزستور MOSFET للقدرة من نوع IRF634 بقناة N في غلاف TO-220، بجهد تصريف-مصدر 250 فولت وتيار تصريف مستمر 8.1 أمبير. يُستخدم كمفتاح إلكتروني للتحكم في المحركات والمرحلات والمصابيح والأحمال ذات الجهد الأعلى، ويُشغَّل من متحكم دقيق أو من مرحلة تبديل في دوائر القدرة.

المواصفات

النوع
N-channel
جهد تصريف-مصدر (VDSS)
250 V
تيار التصريف المستمر (ID)
8.1 A
أقصى مقاومة RDS(on)
0.45 Ω at VGS = 10 V
جهد عتبة البوابة (VGS(th))
2 V to 4 V
الغلاف
TO-220

أسئلة شائعة

كم سعر ترانزستور MOSFET للقدرة IRF634 بقناة N (250 فولت، 8.1 أمبير، TO-220) في مصر؟

سعر ترانزستور MOSFET للقدرة IRF634 بقناة N (250 فولت، 8.1 أمبير، TO-220) في مصر حاليًا بين ٢٠ و٢٥ جنيه عبر 3 عروض.

منين أشتري ترانزستور MOSFET للقدرة IRF634 بقناة N (250 فولت، 8.1 أمبير، TO-220) في مصر؟

ترانزستور MOSFET للقدرة IRF634 بقناة N (250 فولت، 8.1 أمبير، TO-220) متوفر عند فيوتشر إلكترونيكس وموست إلكترونكس وسيركتس إلكترونيكس. قارن العروض بالأعلى لتعرف أفضل سعر.

ما هو ترتيب أطراف IRF634 في غلاف TO-220؟

عند وضع الجزء المعدني بعيداً عنك والأطراف متجهة للأسفل، يكون الترتيب من اليسار إلى اليمين: البوابة (Gate) ثم المصرف (Drain) ثم المصدر (Source). تأكد دائماً من ترتيب الأطراف في ورقة البيانات قبل التوصيل.

هل يمكن تشغيل IRF634 مباشرة من طرف Arduino؟

ليس بشكل موثوق. تُحدَّد مقاومة RDS(on) عند جهد بوابة 10 فولت، لذلك لن يفتح مخرج Arduino بجهد 5 فولت الترانزستور بالكامل. استخدم MOSFET بمستوى منطقي (Logic-level) أو مرحلة تشغيل مناسبة، وأضف مقاومة بوابة بقيمة نحو 100 إلى 220 أوم، وديود Flyback مع الأحمال الحثية.