ElectronicsEgypt
ترانزستور MOSFET قدرة من نوع N-Channel طراز BUZ102S بغلاف TO-263 للتركيب السطحي

ترانزستور MOSFET قدرة من نوع N-Channel طراز BUZ102S بغلاف TO-263 للتركيب السطحي

BUZ102S N-Channel SMD Power MOSFET (TO-263)

غير متوفر حاليًا

لا يوجد متجر لديه هذا المنتج متوفرًا الآن. الأسعار التالية هي آخر ما سجلناه.

آخر تحديث للأسعار: ١٤‏/١٠‏/٢٠٢٦

تاريخ السعر

أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا

لا يوجد تاريخ أسعار كافٍ بعد.

عن المنتج

ترانزستور MOSFET قدرة من نوع N-Channel بتصميم للتركيب السطحي (SMD) في غلاف TO-263، يُستخدم كمفتاح إلكتروني للتحكم في الأحمال ذات القدرة مثل المحركات والمصابيح والملفات في دوائر إلكترونيات القدرة.

المواصفات

النوع
N-channel power MOSFET
الغلاف
TO-263 (SMD)
طريقة التركيب
Surface mount
التطبيق
Power switching

أسئلة شائعة

هل يمكن تشغيله مباشرة من طرف متحكم بجهد 3.3 أو 5 فولت؟

راجع أولاً جهد عتبة البوابة (Gate Threshold) وجهد التشغيل الموصى به للبوابة في ورقة المواصفات. الـ MOSFET ذو المستوى القياسي غالباً يحتاج جهداً أعلى للبوابة مما يوفره طرف المتحكم، لذا قد تحتاج إلى مشغل بوابة أو جزء بمستوى منطقي.

هل يحتاج إلى مبرد حراري؟

عند الأحمال ذات التيار العالي تحتاج حزمة TO-263 إلى مساحة نحاس كافية على اللوحة أو مبرد حراري. قدّر القدرة المبددة من مقاومة التشغيل وتيار الحمل، وراجع الحدود الحرارية في ورقة المواصفات.