ترانزستور 2SK209-GR من نوع JFET بقناة N منخفض الضوضاء بغلاف SMD من نوع TO-236
2SK209-GR N-Channel Low-Noise JFET, SMD TO-236
غير متوفر حاليًا
لا يوجد متجر لديه هذا المنتج متوفرًا الآن. الأسعار التالية هي آخر ما سجلناه.
آخر تحديث للأسعار: ١٤/١٠/٢٠٢٦
تاريخ السعر
أقل سعر يومي خلال آخر 90 يومًا
لا يوجد تاريخ أسعار كافٍ بعد.
عن المنتج
ترانزستور 2SK209-GR من نوع JFET بقناة N مثبّت على السطح بغلاف TO-236، ومخصص لمراحل الترددات الصوتية منخفضة الضوضاء مثل مكبرات الميكروفون ومخازن الدخل. وهو من نوع الاستنزاف (Depletion-mode)، أي أنه يوصل التيار عند انحياز بوابة صفري، ويُقطع بجهد سالب بين البوابة والمصدر.
المواصفات
- النوع
- N-channel JFET / JFET بقناة N
- نوع الغلاف
- TO-236 (SMD) / TO-236 (تثبيت سطحي)
- جهد البوابة-المصرف VGDS
- -50 V
- تيار المصرف Id
- 10 mA
- التصنيف
- GR
- الاستخدام
- Low-noise audio frequency / ترددات صوتية منخفضة الضوضاء
أسئلة شائعة
هل الترانزستور 2SK209-GR هو MOSFET؟
لا. هو JFET، أي تُتحكم فيه بجهد وصلة البوابة-المصدر وليس ببوابة معزولة. التوصيل والانحياز يختلفان عن MOSFET، فتحقق من ترتيب الأطراف في الدليل الفني قبل التوصيل.
كيف يُنحاز JFET بقناة N مثل هذا عادةً؟
الطريقة الشائعة هي الانحياز الذاتي (Self-bias)، حيث تربط مقاومة بين المصدر والأرضي فيصبح جهد البوابة عند جهد المصدر أو أقل منه. لا يجوز أن يكون جهد البوابة موجباً بالنسبة للمصدر.
