ثنائي شوتكي SMD موديل SS54 – 5 أمبير 40 فولت DO-214AB
٩ ج.م
L5991D متحكم PWM للمنظمات التبديلية بنمط التيار
٢١٧ ج.م
ذاكرة EEPROM تسلسلية 24C64 سعة 64 كيلوبت بواجهة I2C وغلاف SOIC-8
١٠ ج.م
ذاكرة EEPROM تسلسلية 24C02 سعة 2 كيلوبت بواجهة I2C وغلاف SOIC-8
24C04 ذاكرة EEPROM تسلسلية بسعة 4 كيلوبت وواجهة I2C بجهد 5 فولت
١٧٫١ ج.م
FAN9730C متحكم PWM بنمط التيار في غلاف SOP-8
١٤٣ ج.م
وحدة توسعة 24 منفذ GPIO عبر I2C بالشريحة CH423S
١٧١ ج.م
متحكم PWM للتغذية من التيار المباشر NCP1207A بغلاف SMD من نوع SOP8
٢٥١ ج.م
دايود زينر SMD بعلبة SOT-23 بجهد 8.2 فولت BZX84C8V2
٣٫٤٢ ج.م
معالج دقيق STC8H8K64U-45I-LQFP64 بذاكرة فلاش 64 كيلوبايت
٩٦٫٩ ج.م
معالج دقيق STC8H8K64U-45I-SOP16 بذاكرة فلاش 64 كيلوبايت
٦٠ ج.م
معالج PY32F030K28T6 بنواة Cortex-M0 وذاكرة فلاش 64 كيلوبايت
٧٥ ج.م
معالج PY32F030F18P6 بنواة Cortex-M0 وذاكرة فلاش 64 كيلوبايت
٥١٫٥ ج.م
متحكم دقيق STC8G2K64S4-36I-LQFP32 بنواة 8051 وذاكرة Flash 64 كيلوبايت
١٠٣ ج.م
ثايرستور SCR أحادي الاتجاه 25TPS12 بجهد 1200 فولت وتيار 25 أمبير وغلاف TO-247
٦٥ ج.م
ترانزستور MOSFET قناة N FDP120N10 100V 74A TO-220
ترانزستور IGBT من إنفينيون IKW30N60H3 600V 30A TO-247
٩٠ ج.م
ترانزستور MOSFET قناة N MPG150N10P 100V 150A TO-220
٧٠ ج.م
ترانزستور IGBT عكسي التوصيل H30R1202 1200V 30A TO-247
دائرة مفتاح تناظري DG212CJ رباعية SPST بغلاف DIP-16
٢٠ ج.م
ترانزستور MOSFET MPG90N03L 30 فولت و90 أمبير
٣٠ ج.م
ترانزستور MOSFET قدرة 80N10 من نوع N-Channel 100 فولت و100 أمبير بغلاف TO-220
ترانزستور MOSFET FQA19N60 من نوع N-Channel 600 فولت و19 أمبير بغلاف TO-3P
وحدة عزل ضوئي PC817 بقناتين (Optocoupler)
ترانزستور قدرة NPN BUW12A 1000 فولت و8 أمبير بغلاف TO-3PN
٥٠ ج.م
ترانزستور قدرة PNP MJE5850 400 فولت و8 أمبير بغلاف TO-220
٥٥ ج.م
ترانزستور قدرة N-Channel FGH50N60 600 فولت و40 أمبير بغلاف TO-220
ترانزستور IGBT من نوع N-Channel FGL80N100 1000 فولت و80 أمبير بغلاف TO-264
١٨٥ ج.م
المقرن الضوئي 4N32 بإدخال تيار مستمر وخرج Photodarlington، غلاف PDIP-6
٤ ج.م
الشريحة 27C1024 ذاكرة EPROM بسعة 1 ميجابت (64K x 16) بغلاف DIP-40
متحكم ذاكرة DRAM من نوع D8202A بعرض 8 بت وغلاف DIP-40
الشريحة M27C2001-10F1 ذاكرة EPROM بسعة 2 ميجابت (256K x 8) بغلاف DIP-32
الشريحة M27C4001-12F1 ذاكرة EPROM بسعة 4 ميجابت (512K x 8) بغلاف DIP-32
موسّع منافذ الإدخال والإخراج INS8243N بعرض 4 بت
١٥٠ ج.م
ديود زينر BZX84C7V5 بجهد 7.5 فولت SOT-23 للتركيب السطحي
آي سي 74121 مولد نبضة أحادي الاستقرار بتقنية TTL وغلاف DIP-14